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葵花寶典:消除副邊二極管反壓尖峰

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nc965
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  • 2015-7-29 13:07:03
消除副邊二極管反壓尖峰


人氣差不多了,開講


一、二極管反壓尖峰影響啥了?
有人在這里跟帖說,降低二極管反壓尖峰會降低效率,也會增加成本,而這兩項都是開關電源工程師追求的終極目標,那還降啥呢?增加得了!
實際上,咱們降低或者消除二極管反壓尖峰的目的,不是為了看著舒服,最終目的恰恰是為了提高效率,或者降低成本。
二極管反壓尖峰影響的是二極管的耐壓選擇,40V輸出(甚至50V輸出都)希望用200V的二極管搞定,因為200V的二極管比400V的二極管正向導通壓降會低一點、效率會一點高、溫度會低一點、成本也會低一點、不是嗎?咱們糾結的不就是這個嗎?怎么就降低效率了?怎么就提高成本了?
換句話說,如果二極管反壓尖峰沒有影響到二極管的耐壓選擇,比如輸出60V的反激,只能選400V的二極管(二極管很少有300V的吧?即使有也比400V的貴吧),耐壓綽綽有余,就不用去費力降低尖峰了吧。

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  • 2015-7-29 13:29:59
 
ran--0813
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本網技師
  • 2015-7-29 13:36:51
 
快點來人,快快講;我是沙發。。。
HW1015
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  • 2015-7-29 13:44:58
 
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  • 2015-7-29 13:45:06
 
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starshc01
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  • 2015-7-29 14:09:47
 
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星宇
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  • 2015-7-29 14:11:38
 
我頂死你!消除有點困難吧!
nc965
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  • 2015-7-29 14:13:17
 
主要是限制尖峰,要完全消除也不是不可能的。
ta7698
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  • 2015-7-29 14:19:57
 
這個想學習學習。
qinzutaim
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  • 2015-7-29 14:33:45
 
來看看樓主如何演武。。。。
huanggzhou
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  • 2015-7-29 14:33:13
 
頂 頂 頂
gaohq
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副總工程師
  • 2015-7-29 14:39:23
 
坐看李工如何施展大法。
myship02
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  • 2015-7-29 14:43:51
 
頂,期待版主講解。謝謝
nc965
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  • 2015-7-29 14:44:47
 
先看看據說是一家大公司的文檔,我在跟帖中說這個方法是錯誤的,大家討論一下,為什么是錯誤的?



工程隨風
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高級工程師
  • 2015-7-29 17:31:28
 
當接入電源時,電感的初期作用,是抑制電流變化,等于是將加在二極管上的反向電壓前期削弱。
當斷開接入電源時,電感根本就沒能構成回路,那這時就不可能在原VCC的基礎上,再疊加尖峰電壓作用于二極管上
huxuzhan
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高級工程師
  • 2015-7-29 17:55:47
 
先頂再看,
lahoward
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總工程師
  • 2015-7-31 07:19:40
 
為什么說這個次級吸收電路的試驗方法是對的,請看實例:
這個是電路圖,注意圓圈內的二極管部分沒有畫RC吸收電路。



測得二極管的波形如下:

lahoward
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總工程師
  • 2015-7-31 08:44:19
 
測得頻率為21MHz,或周期為46ns,





在二極管上并聯電容Csn


并聯電容后使頻率減半或稱周期加倍為96nS,

最終確定電容為680pf,電阻值30歐姆





測得波形改善如下,尖峰大大降低









樓主以為如何??
請樓主也以實例來說明前述大公司的方法是錯的。
nc965
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  • 2015-7-31 09:09:53
 
看來你還遠遠沒有入行,干這活的目的是啥?頂樓有論述,先聽課吧
lahoward
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總工程師
  • 2015-7-31 11:20:24
 
不要故弄玄虛,請直接回答這個大公司的的方法錯哪?
nc965
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  • 2015-7-31 11:35:45
 
錯在:這個吸收參數是沒有依據的,680P+30歐姆來路不明,計算依據是杜撰的。
詳情參閱:《關于吸收》五:RC吸收
lahoward
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總工程師
  • 2015-7-31 12:10:55
 
這里略去計算過程是為了簡化問題,寫出計算過程估計你也看不懂。

這是實例,尖峰實際是不是減小了?你還要什么依據,事實就是最好的依據。
你有什么例子嗎?你那個《關于吸收》五:RC吸收 有什么?看了一下什么也沒有,只是空口說大話而已。
nc965
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  • 2015-7-31 12:18:34
 
我的不行,那就以你的仿真為例,現在要求在原來尖峰電壓的基礎上,靠RC吸收,要求分別降低尖峰10V和15V,請分別提供吸收參數,并核算吸收損耗。這作業能完成嗎?
lahoward
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總工程師
  • 2015-7-31 13:39:31
 
我這是仿真嗎?
nc965
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  • 2015-7-31 13:44:35
 
不管你是啥,能給出結果就行。
也不看你的計算結果了,反正我也看不懂,能給出結果就行。
也不要求你對損耗進行優化了,知道你不會,能給出結果就行。
降低10V需要啥RC配合,降低15V呢?
lahoward
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總工程師
  • 2015-7-31 13:50:43
 
請寫出RC吸收的功耗公式,會嗎?
nc965
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  • 2015-7-31 13:53:31
 
不會
QWE4562009
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副總工程師
  • 2016-10-10 12:21:08
 
你們兩個都很幽默   技術還那么好  我要拜你們為師?。。。。。?!QQ多少?。。。。。。?!
QWE4562009
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LV8
副總工程師
  • 2016-10-10 12:22:41
 
QQ多少  版主?。?!
lahoward
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總工程師
  • 2015-7-31 13:45:39
 
你說說那家“大公司”錯哪了?我有例證證明是對的,請你也拿出實例來證明那家“大公司”的方法是錯的。
nc965
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  • 2015-7-31 13:49:30
 
你還不明白?錯就錯在它的方法并不知道最后是啥結果?降低了多少呢?損耗多少呢?如果降低得還不夠,又怎么辦呢?如果損耗太大怎么辦呢?有沒有既能剛好降低到需要的程度,又達成最小損耗的其他RC配合呢?
lahoward
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總工程師
  • 2015-7-31 14:06:41
 
不多說了,不然別人還以為我在攪局。我只是想說,那家大公司的算法是通用算法,你不一定懂,在沒有拿出證據的前提不要輕易否定別人的做法,人家只是培訓設計人員該怎么做,為什么這么做那是另外一回事,不然就搞得太復雜了。
你繼續。
huxuzhan
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高級工程師
  • 2015-7-31 16:07:41
 
大牛抬杠都那么精彩,小弟自嘆不如啊,受教了。
zzandzj
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副總工程師
  • 2015-8-6 18:35:06
 
其實做技術就是這樣,既要善于總結經驗,也要持有懷疑態度,刨根問低,好久沒看帖子了,附件上傳兩篇文檔,關于RC吸收的理論分析和計算的實例,這樣****不用擔心我的RC是如何選取的了     
snubber-用于副邊二極管整流.pdf (1.27 MB, 下載次數: 4122)
nc965
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  • 2015-8-7 08:55:38
 
樓上兄弟未免太過自信,以我的經驗判斷,凡是企圖用簡單的數學表達來描述反壓尖峰的都不靠譜,還是實裝測試靠譜。
君不見,本帖討論中出現的影響反壓尖峰的因素太多,少說也有十多個因素在起作用,如何起作用都還沒有說清楚,相當復雜的,豈是某個論文中的某個公式能解決的?
因此,凡是數學方法求解 RC 的,我都是不看的,也勸諸君不要去相信它,相信自己吧。
hongmo
  • hongmo
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LV4
初級工程師
  • 2015-9-1 10:55:49
 
呵呵   不大厚道啊
huxuzhan
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高級工程師
  • 2015-8-12 15:58:31
 
全英文啊,你知道不,我高考時150的英語只考了40多。
xuhui717841162
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高級工程師
  • 2019-9-22 19:12:04
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全英文的,看的有點頭大,呵呵
wcm014
  • wcm014
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高級工程師
  • 2015-8-3 13:33:15
 
有理有據,頂一個先
lahoward
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總工程師
  • 2015-8-4 13:24:41
 
謝了!補充完善:
          1)尖峰哪里來的? - 付邊漏感和二極管的結電容的諧振
          2)為什么要加吸收? -- 1、防止尖峰電壓太高超過二極管的耐壓,2、消除有此諧振引起的傳導和輻射EMI
          3)如何吸收?RC
          4)如何做? -- 很簡單,三步:1、測量諧振頻率, 2、并聯電容使頻率減半,3、電阻值按下式計算:
                                             
                          Tr -- 初始周期, C--并聯的電容。以上例計算電阻為:3*3.46ns/2*3.14*0.68nF = 32Ω         
                          是不是很簡單明了?沒那么玄乎。

        
抱歉:       
        上式
:3*3.46ns/2*3.14*0.68nF = 32Ω   多打了一個3,
   更正為 3* 46ns/2*3.14*0.68nF = 32Ω

本帖最后由 lahoward 于 2015-9-28 15:22 編輯

額滴神吶
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高級工程師
  • 2015-9-2 17:20:52
 
看了半天沒看懂,多虧lahoward總結
趙日天
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副總工程師
  • 2015-9-28 11:19:20
 
4)如何做? -- 很簡單,三步:1、測量諧振頻率, 2、并聯電容使頻率減半,3、電阻值按下式計算:
[url=][/url]       
Tr -- 初始周期, C--并聯的電容。以上例計算電阻為:3*3.46ns/2*3.14*0.68nF = 32Ω

請問  這個初始周期  Tr=3.46ns  是怎么來的啊   看不太明白
lahoward
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總工程師
  • 2015-9-28 12:42:38
 
請看40樓有詳細的說明。
趙日天
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副總工程師
  • 2015-9-28 14:40:23
 
[img]file:///C:\Users\Owner\AppData\Roaming\Tencent\Users\2199415842\QQ\WinTemp\RichOle\QC77G43R@TCIWGI17}A[47A.png[/img]    
只有TR=46ns    你的TR=3.46ns  怎么來的呢?

lahoward
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總工程師
  • 2015-9-28 15:30:26
 
真的是很抱歉,仔細查看了一下發現多打了一個3,更正如下
3*46ns/2*3.14*0.68nF = 32Ω
此處3.14如用pi或者用3.1416算則結果是32。32歐姆電阻是沒有的,故選用30,實際應用中應根據發熱情況折中選取,阻值可以選用小一些。

ruohan
  • ruohan
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副總工程師
  • 2019-5-13 17:26:39
 
這種確認電容的方法
可以嗎
野蠻人灬
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高級工程師
  • 2017-8-23 23:20:47
 
對電路做個仿真,從系統的輸出上就可以看出Tr,有用過saber仿真的嗎?直接放一下,就可以很直觀的看到他的動態上升時間,超調,等

yiweilang
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本網技師
  • 2019-8-28 11:34:58
  • 倒數7
 
為啥要乘以3,實際特性阻抗為:R=sqrt(R/L)=Tr/(2*pi*C),不明白為什么電阻選擇有個3倍關系
能源消耗
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副總工程師
  • 2016-5-26 13:43:10
 
0.68NF, 是681, 680P法嗎?電阻為30歐姆, 輸出整流的尖峰吸收,電容小了點吧,6800皮法,不會覺的大了點嗎?

據我平時經驗,我也不計算, 示波器看看,換換,4700皮法+51/2w,在小與24V電壓500W輸出的電路中,最理想。吸收的尖峰根部不震蕩,吸收程度適中,電阻發熱又可以接受,最大尖峰在理想的整流管耐壓內。偶然發現如果在中載時,尖峰頂端出現個小平臺,就可以確定所取得RC值為最理想。
平時觀察結果:1電容小了,尖峰不震蕩,電阻發熱小,吸收效果差,大電流是無法控制尖峰頂點。  2電容大了,吸收效果明顯,但會出現震蕩,電阻發熱嚴重,
   3,電阻值取小了,本體法熱小,吸收效果沒有明顯的變化,也會出現輕微尖峰震蕩,電阻取大了,反而發熱更嚴重,(當然不是超出范圍值)
lahoward
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總工程師
  • 2016-5-26 14:16:33
 
有沒有對比的波形圖?
能源消耗
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副總工程師
  • 2016-10-11 08:32:39
 
對1個12V,2.5A的電源,輸出吸收爭的白臉紅臉, 哪個公式根本是個瞎扯蛋。大家知道電流越大,尖蜂越高,這公式沒有看到電流參與計算,就是沒有依據靠譜。樓主說是大公司產品的設計,也許這個公式是可以減低或吸收輻射,吸收尖峰不靠譜。
hit158
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高級工程師
  • 2017-9-4 10:35:55
 
你這個方法最實際,有沒有方向性的知道,或者波形上下看看
WHXAZWN
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初級工程師
  • 2018-6-27 10:05:51
 
666總結的很好
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助理工程師
  • 2019-5-16 17:28:55
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為什么是3Tr不是Tr,小白不懂
yiweilang
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本網技師
  • 2019-8-21 20:28:01
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問下結電容是指二極管反向恢復引起的嗎?能具體解釋一下原理嗎?
雪中飛
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高級工程師
  • 2015-8-5 07:44:52
 
如果對于一個固定的電路,只改變RC參數,你沒有其他的RC配合,可以比你說的方式是錯誤的RC降低的尖峰多還損耗小,不信,你也可以自己找個電路,作個對比貼出來讓大家看看。注意這里只說RC吸收的影響,不談論別的改變壓器驅動電阻之類的方式。
滄海一粒
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高級工程師
  • 2016-11-28 17:01:59
 
照這么說,那要是實驗,經驗所得,也是不對嗎?

nc965
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  • 2016-11-28 17:18:20
 
請舉例說明
QWE4562009
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副總工程師
  • 2016-10-10 12:21:51
 
QQ多少  發下站內信好不?謝謝了
xd285070
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副總工程師
  • 2015-8-3 23:07:53
 
為啥是減少一半頻率?1.2倍就錯了?1.5倍效率就低了?為啥是先并個電容?我先確定那個吸收電阻不行嗎?先把吸收電阻定位10歐,我慢慢加大電容就錯了?
自己認為可行的措施它就是對的!
lahoward
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總工程師
  • 2015-8-4 02:25:58
 
好像很生氣的樣子。如果你覺得你的方法可行請舉例說明。再問一下你的10歐姆是怎么來的?拍腦門想出來的?
xd285070
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副總工程師
  • 2015-8-4 13:57:28
 
先說我的10歐姆是怎么來的,你別說全網獨家還真是拍腦門想出來的?。?!輸出電壓多大,吸收電阻就用多大,在把電容慢慢加,更具實際電阻發熱以及吸收效果調整電阻。
我不說誰的效果好,我還是那句話,只要自己覺得可行的方案,他就是對的!
micropower
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  • 2015-8-18 18:49:05
 
ltpzm
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高級工程師
  • 2015-8-4 22:17:21
 
吸走了那么多,效率下降了多少?
lahoward
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總工程師
  • 2015-8-5 03:12:52
 
效率怎么會下降?
ylrylrylr
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本網技師
  • 2016-6-29 17:05:23
 
效率不會下降也太扯了?電阻發的熱你給它的?
lahoward
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總工程師
  • 2016-6-30 08:28:58
 
真是個熊孩子,沒怎么做過電源吧。付邊二極管的反向尖峰有用嗎?沒有用!你不吸收掉它他就不存在了嗎?照樣存在!那能量哪去了?能量或者反射到原邊或者以EMI的形式輻射出去。吸收以后電源工作更正常效率不會受到影響,明白否?
jey0807
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本網技工
  • 2018-11-18 14:18:49
 
吸收的尖峰不會降低效率,但是一次側MOS打開時,副邊由于有了RC會構成多余的回路吸收部分本應該存儲起來的能量,從而降低效率
lahoward
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總工程師
  • 2018-11-20 08:11:14
 
這個怎么理解?“一次側MOS打開時,副邊由于有了RC會構成多余的回路吸收部分本應該存儲起來的能量”??煞窈唵螆D示一下?
hbd369939
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高級工程師
  • 2015-8-15 11:28:01
 
680PF
是否有考慮溫升?小弟做項目,做多也用到了220PF,再增加的話,溫度是個硬傷,過不了指標
,通常情況下,是為了過EMI才去加的這個RC,畢竟從根本上來說,是損耗功率,
lahoward
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總工程師
  • 2015-8-15 13:42:45
 
說得沒錯,需要根據實際情況折中,200P,10歐姆基本差不多了。
micropower
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  • 2015-8-18 18:50:53
 
損耗跟三個參數有關
電壓,頻率還有電容容量。
xiaoyezi0
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高級工程師
  • 2015-10-16 10:52:25
 
呦吼,好好學習下
煙花易冷
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LV6
高級工程師
  • 2018-6-25 17:20:40
 
請問,你上面說的震蕩頻率是二極管反壓尖峰的頻率嗎?粗糙一點的說。大概就是反壓尖峰兩峰值之間的時間的倒數?
lahoward
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總工程師
  • 2018-6-26 08:11:00
 
沒錯。
學海游輪
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副總工程師
  • 2015-8-4 20:22:26
 
感覺你測試的是的CCM的波形,你的產品全范圍都是CCM模式嗎?
Flyback高壓滿載情況下的次級整流管尖峰比較大吧
lahoward
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總工程師
  • 2015-8-5 15:27:01
 
如何看出CCM模式?
學海游輪
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副總工程師
  • 2015-8-6 19:13:19
 
CCM模式下二極管波形是從正向直接拉到負向最大值。此時二極管有正向電流
DCM則先要隨初級電感震蕩,然后從負向拉到最大值。此時二極管已經沒有電流了
你升高電壓,相信二極管的反向電壓會更大。
lahoward
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總工程師
  • 2015-8-7 06:54:31
 
說的不錯。
學海游輪
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LV8
副總工程師
  • 2015-8-7 08:27:23
 
所以有必要討論一下,寬輸入電壓反激次級二極管電壓應力在什么時候最大?
最大電壓應力時的解決方法
當增加RC時對效率的影響
lahoward
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總工程師
  • 2015-8-7 08:35:50
 
有何見解?最好有實際例子,否則光是講理論很空。
學海游輪
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LV8
副總工程師
  • 2015-8-7 09:42:18
 
我就談一下,什么時候電壓應力最大吧。以下是我的個人見解,希望大家參與討論

首先:電壓應力跟AC輸入電壓以及變壓器原副邊匝比有關,而且這部分占整個二極管電壓應力比例較大
以Flyback為例,在匝比固定的情況下并且假設輸出電壓不變,二極管電壓應力和輸入電壓有關。對于變壓器來說,當Cbulk電壓最大時,副邊的電壓也最大 。也就是說AC電壓最大且Cbulk電壓在峰值時,次級線圈的反向電壓最大。
第二就是次級線圈的漏感和二極管的寄生結電容諧振了
一般來說變壓器次級電感本來就比較小,次級線圈漏感也比較小,再加上次級二極管的寄生電感 以上兩個電感等效成一個電感與次級二極管的 寄生電容諧振 。至于LC諧振能產生多大的電壓尖峰 因為我對LC諧振電路我不大理解,希望有高手能講解補充一下。
第三個是輸出電壓 也就是說和空滿載有關 第一個原因里提到假設輸出電壓固定,是基于這樣的考慮的。在電源電路中,一般情況下空載輸出電壓較高一些高,滿載輸出電壓較低一些。結論就是:滿載時二極管應力較空載時稍大一些
第四個是工作狀態 CCM比DCM大(假設其他條件都一樣) CCM涉及到二極管的反向恢復和諧振。比如你的電源高壓滿載在DCM,假如此時短路輸出,短路瞬間電源還是有可能由DCM變成CCM的,此時的二極管電壓最大。

lahoward
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總工程師
  • 2015-8-7 11:38:51
 
最好輔以實測說明,光是文字就很空了。
liweikang822
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高級工程師
  • 2015-8-12 22:30:44
 
cbulk是什么
學海游輪
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副總工程師
  • 2015-8-14 19:27:21
 
Cbulk就是整流橋之后的大電解電容
soswelcome
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高級工程師
  • 2018-11-23 17:00:47
 
可否幫忙分析一下,這個2輸入的光耦反饋??

光耦反饋.png (240.93 KB, 下載次數: 17)

光耦反饋.png
nc965
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  • 2018-11-23 18:40:48
 
未見兩輸入,僅見兩輸出,僅一路反饋,效果與兩路反饋差別不大。
只考慮電阻選用的話參考此貼: 817+431 徹底攻破 ,
還要考慮電容選用的話參考此貼:請教哦一下各位關于TL431補償的問題

lahoward
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總工程師
  • 2018-11-25 13:10:04
 
12V 這一組僅是提供偏置,與反饋沒什么關系。為什么偏置用12V這一組而不用5V這一呢?估計理由如下:假如12V和5V的變化的絕對值相同,則12V供給的偏置電流變化顯然相對較小。

這些阻值如何確定非三言兩語說得清楚,建議先百度一下。
lclbf
  • lclbf
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副總工程師
  • 2016-11-10 14:19:43
 
好像一個博士的文檔,我按照這個方法做過,有點效果,不能完全消除。過EMC時反而效果不好。
gcp2016
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初級工程師
  • 2018-5-8 08:42:50
 
公式的單位是什么?
孤星靈月
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高級工程師
  • 2015-7-29 14:47:12
 
頂。。。坐看李工如何消除二極管尖峰的。。。
艾青
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  • 2015-7-29 15:59:19
 
原來胡莊主發過一個電路挺管用。我一直在用。就是R//C+二極管。消除的很徹底。我就在想如果有人把源邊的消除到這個程度該多好啊。
gaohq
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副總工程師
  • 2015-7-29 16:03:58
 
R//C 再串二極管 ? 二極管用快管還是慢管 ?
何仙公
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  • 2015-7-29 16:05:48
 
一直用這方法,可悲的是可選的電容就那幾款。
不能完全消除,接近消除而已
tingting2013
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  • 2015-7-29 16:11:50
 
感覺太假,,不可能完全消的,,
鑫越電子
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副總工程師
  • 2015-7-29 16:15:56
 
我是來學習的
孤星靈月
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高級工程師
  • 2015-7-29 16:52:07
 
拭目以待,即使不能完全消除,也能讓我們拓展一下知識面唄!
孤星靈月
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高級工程師
  • 2015-7-29 16:53:25
 
按你的意思是電容若有更好的,二極管上的電壓尖峰即可完全消除?
hwx-555
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總工程師
  • 2015-7-31 16:04:34
 
艾青&何仙公,想認識下C//R+D的二極管尖峰吸收,可介紹下?

工程隨風
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高級工程師
  • 2015-7-29 17:32:18
 
能把電路發一下不?學習一下
xd285070
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副總工程師
  • 2015-7-29 17:27:26
 
犧牲多少的效率,這是重點。
孤星靈月
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高級工程師
  • 2015-7-29 17:47:47
 
若是以犧牲多效率而達到的效果那么本帖就沒意義了。。
nc965
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  • 2015-7-29 19:50:13
 
提高效率
dwl15858
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初級工程師
  • 2015-7-30 06:21:10
 
等待高手開講
xd285070
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副總工程師
  • 2015-7-30 09:25:36
 
把反向恢復產生的尖峰減小或者消除的同時還可以提升效率這樣的事情,表示比較不科學,得開開眼界了。
nc965
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  • 主題:114
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  • 2015-7-30 10:02:00
 
你認為放任尖峰效率會更高才科學?
huxuzhan
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高級工程師
  • 2015-7-30 10:33:52
 
李工你好,輸出整流二極管的震蕩能同樣消除嗎?我的電源這個震蕩耦合到初級后能震蕩好遠,一直到,開關管在此導通。
nc965
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  • 主題:114
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  • 2015-7-30 11:18:04
 
看仔細點,是震蕩延續到開關導通呢?還是開關導通導致的震蕩?截圖上來
xd285070
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副總工程師
  • 2015-7-30 20:41:30
 
放任肯定不行呀,就拿我那個原本540w雙管正激的帖子來說,續流二極管尖峰太高導致功率上不去,難產了。就按我的理解如果把尖峰要控制在100v或者更低,或許吸收的電阻功率要達到10w~~~~
nc965
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  • 2015-7-30 21:01:39
 
也許1W呢?是不是就提高效率,又科學了呢?
孤星靈月
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高級工程師
  • 2015-7-30 21:10:13
 
假若不以提高成本的方法來提高效率有點不可信!~~
nc965
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  • 2015-7-30 21:45:54
 
也許降低成本呢?
xd285070
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副總工程師
  • 2015-7-30 22:13:58
 
1w就感覺不科學了
st.you
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  • 2015-8-3 16:50:52
 
漏感太大了功率傳輸不出去,功率也上不去的。
lahoward
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樓主似乎對”葵花寶典“情有獨鐘。以下摘自百度: “葵花寶典的第一頁注明「欲練神功,引刀自宮?!挂馑际切蘧毲氨仨毾?a rel="nofollow" target="_blank">自宮,否則會「欲火如焚,登時走火入魔,僵癱而死?!?font style="font-size:14px">
nc965
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  • 2015-7-31 09:14:35
 
二、啥在影響二極管反壓尖峰?
1、與匝比有關。既然叫反壓尖峰,那一定是疊加在反壓上的尖峰,而反壓與匝比有關,以反激為例,關系是:增加匝比可以降低反壓,從而降低尖峰,但是要以同比增加原邊開關管電壓應力為代價。需根據實際情況權衡了。----引申的含義:與原邊開關管耐壓有關。
2、與輸出電壓密切相關。 這和《一》是一個意思,最高輸出電壓直接決定了尖峰的高度和二極管的耐壓選擇。而最高輸出電壓可能發生在空載時,-----引申的含義:與假負載可能有關。
3、與續流二極管反向恢復電流的大小有關,聽說有種二極管叫軟恢復,是否有效?
4、與續流二極管反向切換速度 di/dt 有關,樓下兄弟正在說這事,說是無解,我看未必。
5、與吸收有關,如何吸收應該有講究。詳情可參閱:《關于吸收》五:RC吸收,其中正好以二極管反壓尖峰為例。
6、或許不用吸收,而用鉗位呢?就是前面諸位提到的R//C+D,是不是更好一點呢?
7、與變換器的工作模式有關,比如是否是軟開關,如何軟?軟到啥程度?比如是否是連續模式?或者臨界模式與斷續模式等等。
8、與漏感有關系,啥關系呢?
9、還有說與原邊寄生電容有關。
xd285070
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  • 2015-7-31 09:19:51
 
個人認為主要是電流上升速率太快了,造成太快的原因,是二極管的反向恢復引起的。自大媽生下來就是這毛病,華佗在世,也是大眼瞪小眼
nc965
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  • 2015-7-31 09:24:41
 
既然知道了原因,你還想不出辦法?離成功只有一步之遙了!
孤星靈月
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  • 2015-7-31 11:16:43
 
與二極管本身的結電容以及PCB的寄生參數有關,結電容與漏感的大小決定了震蕩的頻率。-----與以上的兩個參數都有關!
與變換器的工作模式也相關!
何仙公
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  • 2015-7-31 15:04:30
 
順便講講二極管的功耗!
孤星靈月
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  • 2015-8-3 19:13:54
 
由于二極管是非線性元件,所以二極管的損耗也只能估算了,至少我是這么認為了,P=Vf*Irms*(1-D)
nc965
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  • 2015-8-4 06:08:06
 
實踐證明,二極管損耗的確與尖峰有關
nc965
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  • 2015-7-31 16:58:59
 
三、主要措施
        措施1、調整匝比到最佳程度。以便充分利用器件潛能,這事應該都會干吧,就不細說了。
        措施2、最有效的措施是降低di/dt。
        措施3、調試吸收參數到最佳狀態。
        措施4、必要時采用鉗位方式,即可精確控制尖峰。 本帖最后由 nc965 于 2015-11-11 11:05 編輯

xd285070
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  • 2015-7-31 18:11:59
 
那個鉗位是指啥?tvs?
電子古董
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  • 2015-8-1 18:44:07
 
有些人什么都好,就是有時候太自以為是了。
nc965
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  • 2015-8-2 06:04:12
 
不好意思,可能有時候只顧自己說話,沒考慮到您的感受,見諒。
胡莊主
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  • 2015-8-2 10:45:51
 
基本原則沒問題,但到細節處,感覺也沒啥完美的辦法,
總歸要在效率,成本,layout空間,調節時間上做balance,
不過仔細搞一搞,也總會有一個能接受的方案。
胡莊主
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  • 2015-8-2 10:46:36
 
兄弟,早晨六點就開搞技術,感動。
敬你一杯!
開開鼠
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  • 2015-8-3 08:59:19
 
好貼要頂,樓主繼續
nc965
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  • 2015-8-3 09:31:55
 
為便于閱讀,抽出來講了
        措施2、降低di/dt。

        有人說:di/dt引起尖峰,自大ma生下來就是這毛病,華佗在世,也是大眼瞪小眼。其實不然。
        考察反激,二極管反壓尖峰發生在什么時刻?
        

        
        
        

             這個例子,反壓(綠色)160V,尖峰過300V了
             續流二極管反壓尖峰,與漏感有關、與反向恢復電流有關,都是對的,貌似都無可作為。
             但是,仔細觀察反壓尖峰發生時刻,可以發現:
             反壓尖峰發生時刻與原邊尖峰電壓發生時刻無關,與二極管續流結束(二極管翻轉)時刻無關。
             反壓尖峰發生時刻完全與原邊驅動(藍色)同步,精確地發生在原邊開關管導通時刻!

             因此可以這樣認為:反壓尖峰是驅動引起的。
             那么是不是可以說:原邊驅動特性決定反壓尖峰特性?事實正是如此!
             上圖是一個快速驅動,快速導通不僅引起較大的反壓尖峰,也引起原邊電流(紫色)的一個尖峰(也可以認為正是原邊這個電流尖峰引起了副邊二極管反壓尖峰),這些都是不利的。對于反激而言,在絕大多數工況都是斷續模式或者準斷續(谷底)模式,很少(或者說要盡量避免)連續模式。因此,反激的導通本身就是0電流導通,無需快速驅動。因此
            大幅度減慢導通速度,可以大幅度削減反壓尖峰。
           
        
        

              減慢導通速度即增加 Rg 阻值,增加到多少呢?可以增加到整機效率無明顯下降為止-----對于幾十W的反激,幾百歐姆吧。
              僅這一個措施,反激的問題基本上可徹底解決,尖峰基本上可完全消失,二極管無需吸收。而且提高效率并減少成本。      
        

        
        

              這是個50W的反激,僅把Rg從10改到了220歐姆,尖峰就基本上沒了。何以如此奏效?尖峰能量哪去了?注意看各部波形的變化,電流尖峰基本消失,還有那個彌勒平臺的位置,正好就是之前尖峰發生的位置,因此可以理解為尖峰能量被彌勒吸收了。
              如果不是反激,如果有死區的驅動,那么在死區內想點辦法(減慢導通速度)也是可行的,即使完全沒有死區的連續模式,也是可以適當減慢導通速度的。減慢到啥程度?仍然以整機效率和成本來衡量。
              總之一句話:二極管壓尖峰是驅動過快引起的(而不要總歸罪于二極管反向恢復和漏感)。各位看著辦吧!
gaohq
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  • 2015-8-3 12:19:03
 
(可以認為正是原邊這個電流尖峰引起了副邊二極管反壓尖

可否詳述下。
nc965
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  • 2015-8-3 12:23:11
 
變壓器嘛,原邊有大幅電流,副邊一定有反應的。
xd285070
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  • 2015-8-3 13:37:48
 
我覺得還有個非常重要的參數,便便器不光是漏感,還有電容,初級的電容,這個電容越大,原邊mos的開關影響次級的層度就越大,就個人認為:在同一個輸出電壓的情況下,同樣的吸收下,就是只是改變壓器,漏感越大,次級二極管尖峰小,原邊mos尖峰大。漏感越小,mos管的尖峰越小,二極管的尖峰越大。追其原因,那個初次級的電容才是真胸。改驅動有一定的效果,電容重放電時間慢了,但那也是個雞肋。
nc965
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  • 2015-8-3 13:46:06
 
前面講了,影響因素是很多,但是很多是我們無法操控的,包括原邊MOS寄生電容,你也是不能操控的。不能操控的東西分析得再透徹也解決不了問題。這里需要的是一招制敵的武林秘籍,是完全可以操控的招式。
電子古董
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  • 2015-8-3 16:27:48
 
說來聽聽,哪個招術能一招制勝!
nc965
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  • 2015-8-3 16:33:16
 
僅(增加Rg)這一個措施,反激的問題基本上可徹底解決,尖峰基本上可完全消失,二極管無需吸收。而且提高效率并減少成本。
電子古董
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  • 2015-8-3 16:47:29
 
這個電阻本來就要增加的,難道還有不用這個電阻的嗎?
如果已經增加這個電阻,要是續流二極管上還有尖峰的話,額下還有一招制勝的方法么?

nc965
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  • 2015-8-3 16:52:44
 
反激的話,多數情況下這一招足矣,如果還嫌尖峰過高,那就繼續增加Rg,直到你滿意。
其他情況在下一講,這只是措施2、還有3、4,各位先把這一招吃透,再行下文。
孤星靈月
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高級工程師
  • 2015-8-3 19:41:36
 
假設你這個結論是對的,但是如果為了減少次級尖峰毫無限制的增加Rg也絕對不是出奇制勝的方法。增大Rg必然會使MOS的V-I的交疊面積增大,從而MOS的溫度會增加不少的同時效率也會有所降低!
nc965
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  • 2015-8-3 19:52:39
 
先試試吧,別猜。假如我告訴你,增加Rg到整機效率最高點,就是反壓尖峰消失點,你信不?
何仙公
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  • 2015-8-4 09:00:22
 
84樓擔心的是mos的效率,樓主給出的是整機的效率作為答案!
實在很難讓人信服,期待補充。
nc965
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  • 2015-8-4 09:06:20
 
這件事咋說呢?我估計來這的人,人人手上都有有個反激吧?自己做點測試不行嗎?為啥一定要樓主來補充呢,我即使補充了測試數據,懷疑的依然可以繼續懷疑。因此,還是大家做點測試吧,也不難,就是 Rg--整機效率---反壓尖峰的關系,完了貼上來。
何仙公
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  • 2015-8-4 09:16:06
 
我做出來的沒有尖峰!
內置MOS,有尖峰改變壓器
nc965
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  • 2015-8-4 09:26:44
 
那就等待遇到這個問題的人的測試報告
呆頭鵝
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  • 2015-9-5 14:56:48
 
如何做到?能否給個實例?
能源消耗
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  • 2016-5-26 14:01:33
 
提供Rg電阻是否能不能減低反激式的輸出尖峰,我不敢斷言,提高Rg電阻在BucK電路上,續流管上的尖峰確實可以變得很小,

但是問題來了,MOS管G極電阻加大了,MOS管的整體導通內阻可能變大,上升沿的上升時間會變長(由于MOS開通  G極電容特性)
就出現加長了開通損耗,非常明顯,(把Rg加到50-80歐姆試試,明顯MOS管發熱).

nc965
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  • 2016-5-26 16:09:35
 
Buck、Boost類單端拓撲,原則上不存在續流管反壓尖峰問題,或者說其反壓尖峰很容易由其拓撲吸收方式(PCB方式)解決,不在本帖討論范圍之內。
這里專貼副邊二極管反壓尖峰,與隔離變壓器漏感能量有關,目的是轉移這個尖峰能量,如果不能轉移到輸入或者輸出,那就只能轉移為熱能,如果需要轉移熱能,當然能想到的最好方式就是轉移到有散熱結構的開關器件上,因此,MOS更熱一點或許是件好事。
本帖最后由 nc965 于 2016-5-26 16:47 編輯

lclbf
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  • 2016-11-10 14:37:52
 
RG過大,是不是開關管的損耗會增加,MOS溫度升高?
電子古董
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  • 2015-8-3 16:54:28
 
我補充一點,你所說的這個Rg,在IC驅動能力很強的情況下,如果沒有的話,會使MOS深度飽和,在關斷的時候很難完全退出,所以效率降低;一般情況下,增加了這個電阻會使上升沿加長,增加了開關損耗;就不能說是提高了效率了。
如果調整Rg的阻值是通過效率來判斷,那就不準確了;應該以副邊所產生的開關尖峰(不是二極管上的)(直接測試輸出電壓上的紋波信號,也就是雜信),以達到無開通雜信,或者是最小為目標。
nc965
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  • 2015-8-3 16:57:58
 
先別急著評判,做做實驗、驗證一下再議
st.you
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  • 2015-8-3 16:55:13
 
這應該只適用非連續或者臨界模式吧。
nc965
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  • 2015-8-3 16:58:52
 
看帖仔細點,前面已經說了:
如果不是反激,如果有死區的驅動,那么在死區內想點辦法(減慢導通速度)也是可行的,即使完全沒有死區的連續模式,也是可以適當減慢導通速度的。減慢到啥程度?仍然以整機效率和成本來衡量。
xd285070
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  • 2015-8-3 22:50:18
 
這招顯得沒多少力呀,問一哈,你是用什么規格輸出的電源驗證這個結論的?以及工作模式
nc965
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  • 2015-8-4 06:03:17
 
說了,最有效的是非連續模式反激。這種電源是應用最多的,僅此一招,從此再無反壓尖峰問題,還不給力啥才給力?
靠原邊軟驅動來降低副邊二極管的di/dt,從而降低尖峰,是最容易操作的,最直接有效的,反映了事物的本質,是葵花寶典的精髓。
xd285070
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副總工程師
  • 2015-8-4 14:02:11
 
加大驅動電阻肯定試過在連續的反擊,和正激的續流二極管效果不是很明顯。那個問題感覺像無解~~~
nc965
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  • 2015-8-4 14:16:07
 
連續反激很少用,你試它干嘛?
雙正激肯定奏效,你那個電源用600V的二極管應該可以搞定,重點是你要找到減慢驅動的機會,讓驅動上升沿彌勒更多一點,不是有一種無源鉗位的雙正激嗎?機會也許就在這里。
cmg
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  • 2015-8-4 14:26:18
 
你怎么知道很少用呢?功率大點的都是連續的,我們產品基本能用連續的都用連續的。
nc965
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  • 2015-8-4 15:35:50
 
意思是非連續模式更普遍一些,難道不是嗎?
nc965
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  • 2015-8-26 14:42:19
 
最大尖峰發生在最高輸入電壓和最高輸出電壓時,即所謂最不利工況。而過渡模式的反激,真正進入連續模式時的電壓通常是一個較低的輸入電壓,多半不是尖峰電壓的最不利工況,僅需在此工況下要校核一下尖峰不超即可。
johnxih
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  • 2015-9-18 20:55:13
 
郭版再給大家普及下連續和非連續各自的應用場景。
并且說明一下為何你們能用連續的都用連續的,為何不選擇斷續...
gcp2016
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  • 2018-5-8 09:23:15
 
您好:前面你講了:增加 Rg 阻值,增加到整機效率無明顯下降為止.為什么這里又說增加Rg是提高效率呢?
nc965
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  • 2018-5-8 10:20:56
 
1、因為Rg太小會降低效率,增加Rg會提高效率,再增加直到效率(達到最高點后)不明顯下降為止。
2、這樣增加Rg以不降低效率控制,而省去了RC吸收的效率損失,總體因此(增加Rg)提高了效率。
有點繞,能懂?
gcp2016
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初級工程師
  • 2018-5-9 10:35:10
 
明白了,謝謝
pbx2015
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  • 2018-7-18 21:59:01
 
明白啥意思了,flyback斷續模式,初級開關管是零電流開通,故增加驅動電阻Rg,延長導通時間,理論上不增加功耗。關斷開關管通過二極管快速關斷,故不改變關斷狀態,所以減少了尖峰,也減少了損耗,我明天正好試試,然后上傳數據。
ltpzm
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  • 2015-9-24 20:34:27
 
你這句話太贊同了?。。。?!不可控的東西,盡量不考慮解決辦法?。。。?!
cwp291315342
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本網技師
  • 2016-3-17 11:42:06
 
為什么變壓器漏感大,二極管的尖峰電壓???
電子古董
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  • 2015-8-3 13:19:43
 
我支持你這個說法!頂一個!
qiuyanghui
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初級工程師
  • 2015-8-4 09:14:47
 
頂你一個,現去試試先!
nc965
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  • 2015-8-4 13:00:43
 
結果貼上來
雪中飛
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高級工程師
  • 2015-8-5 07:37:36
 
李工這個增大驅動電阻會降低副邊尖峰的結論是對的,但很多話卻都是錯的。
為什么增大驅動電阻會降低尖峰,是因為增大驅動電阻,相當于增加了DT,所以降低了DI/DT,而不是什么彌勒吸收了之說,而說副邊尖峰是由原邊尖峰引起的電流引起的更沒有道理,因為原邊這個尖峰更本不流過原邊電感怎么會對副邊有作用?最后的結論也有問題,如果沒有漏感,尖峰肯定與漏感有關,沒有漏感根據DV=L*DI/DT,那里來的DV?

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nc965
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  • 2015-8-5 21:28:37
 
能理解這個方法為什么有效就行了,其他說法只是為了便于理解,用的是"可以認為"、"可理解為"這樣的前綴。
但說它是錯的未免言之過急,還真可以那樣去理解,只是取決你情愿理解到什么程度而己,是"然"與"所以然"的問題。
最后結論也沒說與漏感無關,只是說不要總是找漏感以及反向恢復這樣的理由讓自己處于無可作為之境地。漏感的問題是反激變換器的基本問題,應該早在處理二極管反壓尖峰之前考慮,本貼所有討論的前題都是假定已經最大程度做好了漏感為基礎的。
額滴神吶
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高級工程師
  • 2015-9-2 17:37:46
 
這個絕對同意,同事MOS的尖峰也會低,理由是一樣的
司馬仲達
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總工程師
  • 2016-1-21 16:35:19
 
今天仔細看了一遍這個帖子,發個原創帖不容易啊……還是得支持一下。
oldfang
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副總工程師
  • 2015-8-6 12:51:37
 
最喜歡定性加定量分析開關電源參數的
micropower
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  • 2015-8-18 18:57:50
 
回67樓
開關管關閉的那個振蕩又是什么消除的呢?
wandubin
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LV6
高級工程師
  • 2016-1-20 19:37:01
 
nc965版主。改大驅動電阻Rg的確使副邊二極管反壓尖峰很平,但對于一些IC的LEB會不會影響??
nc965
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  • 2016-1-20 21:33:19
 
主要還是看有沒有郭工所說的批量一致性問題,而這個問題歸結為 MOS 管內部結構(包括抗靜電結構和米勒結構)的一致性問題。
對于LEB特性,我認為只會更好,不會更差,特別是對于某些 LEB 做得不好的 IC 更是如此。

本帖最后由 nc965 于 2016-1-20 21:47 編輯

司馬仲達
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總工程師
  • 2016-1-21 09:03:46
 
請問對于很細的尖峰,有沒有什么好辦法?
marswang0307
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本網技師
  • 2016-3-29 10:50:22
 
樓主說的沒錯
14年 解LITEON不發達地區副邊二極管壞問題,咱就用了此種手法


未命名.png (283.38 KB, 下載次數: 62)

量測

量測
wbt100
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副總工程師
  • 2016-5-10 13:10:43
 
這個講的好贊樓主
nk6108
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高級工程師
  • 2016-5-29 21:21:34
 
在開關管的漏極套個磁珠,既提高開通瞬間的 dv/dt,又降低變壓器原邊的 di/dt 。
wbt100
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  • 2016-6-24 09:44:00
 
和串磁珠的效果是一樣的嗎?
wbt100
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副總工程師
  • 2016-7-1 11:59:08
 
今天又看了一遍這個樓,感覺豁然開朗,原邊的尖峰只能靠吸收回路了嗎?
nc965
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  • 2016-8-22 10:15:07
 
原邊尖峰也不一定只能靠鉗位回路吸收,還有別的辦法,但此貼只講副邊的問題。
nc965
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  • 2016-8-22 08:56:28
 
看到還有不少人對此法存疑,還是那句話,懷疑是允許的,但釋疑要靠自己,做做實驗不就知道了?
剛好最近又有個案例,用此法完美解決,參數如下:
PFC輸入:85~264Vac
隔離輸出:40V×2A=80W原邊恒流


相關電路如下(一點吸收沒有):



實測二極管電壓波形如下(一點尖峰沒有):



發熱(環境溫度27度):


從上圖可以看出,變壓器還有優化余地,開關還有優化余地。
效率嘛,盡管還沒有怎么優化,但已經到94%了,各位以為如何?
xd285070
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副總工程師
  • 2016-8-22 09:14:47
 
拿ccm模式的電源做做試驗?
nc965
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  • 2016-8-22 09:20:22
 
你看看OB3330是什么模式?它有一個限流點,相當于轉折電壓,輸入電壓低于此點(比如176Vac),原邊峰值電流不增加,也沒有觀察到尖峰。
前面已經說了,反激電源的CCM模式,是在輸入電壓低于某個閥值(轉折電壓)才進入,此時副邊電壓應力也隨之降低,即使此時出現尖峰,其應力只要低于設計最高應力(發生在最高輸入電壓時)即可。
本帖最后由 nc965 于 2016-8-22 09:25 編輯

xd285070
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LV8
副總工程師
  • 2016-8-22 09:35:10
 
原邊恒流的電源,初級做不到ccm模式吧?qr模式下,二極管尖峰本來就要小一些,一般都是ccm模式下,尖峰難處理,帖子之初我也用正激和反激的做過實驗
nc965
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  • 2016-8-22 10:04:15
 
是的,OB3330雖然有過渡電壓的概念、還有乘法器(這些都是CCM模式的標配),但還是沒有觀察到進入了CCM模式(仍然在谷底導通)。
這個措施,主要對斷續模式有效,但對過渡模式的反激同樣是有效的,純粹的CCM模式效果有限。
本帖最后由 nc965 于 2016-8-22 10:08 編輯

weiweihua1501
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高級工程師
  • 2016-11-2 09:51:48
 
在調試過程中,我也是將Rg的阻值往上由22Ω調到180Ω后,輸出干擾能夠大幅減小,但是還是有一定的干擾,不知道該怎么解決。
nc965
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  • 2016-11-2 10:16:28
 
摘錄120樓:
漏感的問題是反激變換器的基本問題,應該早在處理二極管反壓尖峰之前考慮,本貼所有討論的前題都是假定已經最大程度做好了漏感為基礎的。
意思是,請你先處理漏感
weiweihua1501
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LV6
高級工程師
  • 2016-11-2 14:01:33
 
可是漏感應該是會關斷時的干擾,目前是開通階段干擾比較大,且漏感的RCD吸收電路是有加的。
nc965
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  • 2016-11-2 16:57:06
 
這只是你的判斷,實際情況可能出乎你的判斷,因此還是建議你先做好漏感再議。
weiweihua1501
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高級工程師
  • 2016-11-2 18:54:48
 
嗯,好的,謝謝您的回答。
野蠻人灬
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LV6
高級工程師
  • 2017-8-23 23:42:18
 
這種方法貌似不錯,但我有一個疑問:
1:當加大驅動電阻時,可以看到驅動波形有個很大米勒平臺,這樣會不會對開關管有影響?望解惑。
2:你這個延長了驅動時間,意味著當脈沖到達時,并沒有及時的使開關管導通,那是不是可以理解為 占空比在一定程度上減小了,另外,這段時間也給了整流二極管的一定恢復時間呢?

nc965
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  • 2017-8-26 15:51:27
 
1、很大是多大?這是可以控制的,對開關管的影響有多大?也是可以控制的,目的就是要有平臺,要有影響,才能達到目的。達到目的即可,不要過了的意思。
2、這不叫延長驅動時間,而叫減緩驅動的dv/dt,不叫沒有及時開通,而叫減緩開通過程,它還是及時開通的,只是更溫柔一點。不要理解為占空比減小,占空比是環路在控制,需要多少給多少,少了可以自動增加,不用去操心??赡艽_有一點時間差,但這個差距是不是剛好與二極管反向恢復時間相等?或者有什么玄機?沒有深入研究,你可以深入研究一下。

zhouqian2018
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助理工程師
  • 2019-10-10 21:26:22
  • 倒數3
 
今天才看到,受益匪淺。原本有個案子,樣機的驅動電阻是47R,輸出二極管的反壓在620V,后面生產時改為10R,反壓達到700v了,后面只能更換更大耐壓的管子了。一致對驅動電阻沒有概念。不知道取多大合適。
cmg
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  • 2015-8-4 14:12:11
 
粗略看了一下,13樓的圖應該是我2010年左右應世紀電源網的要求做的一個演講里面的內容。
首先PI不是大公司,另外那跟公司也沒關系,至少在那個時候公司是沒有這些文檔的,是我把自己的經驗和算法分享給大家,如果聽過我的演講,當時是說用這種方法得到一個初始值,然后根據效率和反壓再對電阻值做調整,如果只看文檔會誤會別人的意思。另外那個振蕩對傳導或者輻射有很大的影響。
另外看到李工用改驅動電阻的方法降低那個電壓,改驅動電阻一般改善輻射的時候采用,如果人為調整到一個效率最高的值,做單臺還可以,無法批量生產,大家都知道很多參數是變化的。
就像IEEE的論文,每年幾千篇,但有實用意義的可能只有幾篇,絕大部分論文都是根據一些理想條件來寫的,批量的、實際的情況考慮不到。我做了15年FAE,接觸的是大量的實際設計,要保證的是客戶每月大批量的生產,如深圳某客戶一個月是10幾KK的量,幾KK的量的客戶就太多了,在這種客戶中得出的解決問題的方法才有普遍的意義,是經歷過實際檢驗的,這不是在實驗室里面做幾個板子得出的方法能比的。
cmg
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  • 2015-8-4 14:24:12
 
如果按調整驅動電阻的方法來生產,大批量的時候就等著客訴,等著炸機就好了。元件的參數很分散,另外隨著溫度也變化。
nc965
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  • 2015-8-4 15:38:50
 
這個又不是需要精確調整的參數,差個10~20%沒有可觀的影響。怎么會不適宜大批量?
xd285070
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副總工程師
  • 2015-8-4 16:46:13
 
調驅動是一方面,例如mos和控制ic在一起的芯片,豈不是沒得玩了?
konway
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高級工程師
  • 2015-8-4 20:12:37
 
我覺得cmg是說得很有道理,從實際使用的驅動電阻阻值看,很少很少看到有200歐以上的。我最高只在十幾瓦的機子看到過。那還是幾年前,而現在都要求輕載效率了,加大驅動怕是輕載效率上不去了吧。
另外,以前有發現,驅動電阻大了之后,不同的機子效率差別會放大,最大差了差不多2%。所以,要慎重。
desheng814
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高級工程師
  • 2016-10-13 09:25:30
 
15V3A,OB2273,驅動20R改成150R,改后次級峰值下降10V左右,但是老化差別就大了,換成150R之后,效率降低1%,老化MOS底下PCB明顯發黃。
nc965
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  • 2016-10-13 09:33:48
 
估計你沒有并二極管
johnxih
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副總工程師
  • 2015-9-18 21:05:32
 
郭版所說言之有理,很多時候我們討論的只是理論層面上的,或者樣機、小批量狀態下經驗;
畢竟大部分工程師都沒有做過每月出貨上10K的產品,不能以一概全。
nc965
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  • 2016-2-13 22:38:15
 
每月出貨上10KK的產品應該不是啥標準,我估計,10年前也有人每月出貨上10KK,10年后也有人每月出貨上10KK,他們的處理,一定是不一樣的,技術總是要進步的。
開開鼠
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副總工程師
  • 2015-8-5 08:12:06
 
請問郭工,如果在沒有并這個電容的情況下去測試該震蕩頻率,經常會出現反向峰值超過二極管耐壓,這個時候就比較危險啊,還要繼續測試沒有吸收情況下的震蕩頻率嗎
何仙公
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  • 2015-8-5 09:28:45
 
原來是大神寫的,佩服佩服
nc965
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  • 2015-8-5 09:02:24
 
措施3、RC 吸收
        當前兩種措施的潛力被用完后,尖峰仍然超標,(方)可采取 RC 吸收。
        對于所有 RC 吸收,RC 交換位置等效:
        對于反激,以下兩種 RC 吸收接法等效:
        

        
        
        

        對于其他拓撲,以下接法與在每個二極管都搞 RC 等效(即多數情況下,只用一個 RC 吸收回路即可):
        

        
        

            RC 吸收的特性已經在 《關于吸收》五:RC吸收 中有詳盡描述,感興趣的可參閱,這里只給出結論性的方法:
            1、吸收功率基本上由電容 C 決定。也就是損耗、電阻發熱量以及整機效率基本上由 C 的容量大小決定。因此,如果較小的電容值能解決問題就要盡量避免使用較大的電容。
            2、每個電容值對應有一個最佳電阻值配合,使尖峰最小。這個最佳電阻值也不必計算,并聯電位器現場調整即可立即觀察到其對尖峰波形的明顯影響。
            3、(由此確定的)R C 取值并沒有特殊的精度要求,也沒有布線要求,但應充分考慮其耐壓要求以及電阻的散熱要求。
            RC 吸收追求的目標,就是用最小的代價(最低的成本和效率損失)實現最大的(滿足應用的)尖峰降幅。 本帖最后由 nc965 于 2015-11-11 11:13 編輯

何仙公
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  • 2015-8-5 09:34:54
 
倘若C擊穿了,左圖和右圖分別是什么結局?
nc965
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  • 2015-8-5 09:38:33
 
        忘了說一句,RC 器件承受的電壓,左圖為反壓尖峰電壓 Vr,右圖為 Vr-Vout,還低一點。
        僅就電路性質而言,C 擊穿了,兩電路一樣慘。但因為右圖電壓低一點,左圖的C 擊穿了,同樣情況在右圖未必擊穿。
        右圖還有一個妙處,吸收接副邊地,可以為控制所需的信號或者能量提供接口。
        下圖就是一個利用副邊假負載 Rv 和接地的 RC 吸收能量產生 VCC 電壓(既降低成本又提高效率)的應用:
        

         本帖最后由 nc965 于 2015-11-11 11:14 編輯

st.you
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  • 2015-8-6 09:41:55
 
VCC是多少伏?提供給誰用? R RV DW 都是耗能的元件,這樣搞真能降低成本提高效率?有沒有具體案例?
nc965
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  • 2015-8-6 10:10:26
 
這個只是舉例,拓寬一種思路的意思,不知道有沒有其他人這樣干,反正我就是這樣干的。
VCC 給誰用?給431、817、358 這樣的 IC 用。如果副邊有這樣的需求的話,一般是增加一個副邊輔助繞組來供電。與之比較,會不會降低成本、提高效率,自己可以分析。
st.you
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總工程師
  • 2015-8-6 10:32:28
 
我覺得不會提高效率,因為負載的情況會影響這個VCC的穩定性,如果要空載穩定,那帶載的功耗就會相對大很多。
nc965
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  • 2015-8-6 10:47:00
 
你看我下面的分析有哪點失準?
st.you
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LV10
總工程師
  • 2015-8-6 11:00:26
 
對VCC輸出電流的貢獻,哪個大?R C支路還是RV支路?我理解,RV支路是很穩定的,R C支路就難說了,變數很大。
nc965
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  • 2015-8-6 11:05:29
 
看情況,各半吧。
RC支路變數再大,也遠沒有輔助繞組的變數大,數量級的差別吧。
j527422354
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LV2
本網技師
  • 2018-10-23 14:21:20
 
請問版主這個電路待機功耗能做到多少?
nc965
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  • 2018-10-23 15:01:21
 
沒測,這個事除了看電路,還要看芯片的待機模式
nc965
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  • 2015-8-6 10:11:10
 
成本效益分析:
R是吸收電阻,參數由吸收決定,你不搞VCC,它也是存在的,也是要發熱的,你搞了VCC,它發熱還少些。散熱成本就更低些。
Rv是假負載,參數由空載能量決定,你不搞 VCC,它也是存在的,也是要發熱的,你搞了VCC,它發熱還少些。散熱成本就更低些。
Dw是穩壓管,上圖方法其電流幾 mA 而已(且比輔助繞組穩定許多),基本沒有發熱問題。用輔助繞組時,它也是需要的,發熱會大許多,而輔助繞組的總功率那就完全是額外增加的損耗。
減少一個輔助繞組和一個限流功率電阻(僅靠它還不一定能搞定)、增加一個二極管 D2,總成本會更低一點。
因 Rv 部分的接入,VCC 直流成分會高許多,濾波成本會低一點。
分析完畢
何仙公
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  • 2015-8-6 11:03:49
 
D1D2用什么管子?
nc965
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  • 2015-8-6 11:07:23
 
幾mA,十來V 吧,能找到的最便宜的二極管即可,4148吧。
開開鼠
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  • 2015-8-10 08:10:13
 
這個很新穎,將吸收電路和供電電路整合在一起做了
能源消耗
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LV8
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  • 2016-5-26 14:08:17
 
你這是在取巧,取巧有時還真可以好好利用,但是,有是反被其害,比如電路中所取到的VCC,在輕載和重載的差變,能供給的電流是不平衡的,如果盲目采用,反受其害。影響產品穩定性。
nc965
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  • 2016-5-26 15:47:48
 
確實是取巧,能不能用,要看看實際電路,主要是看電壓電流的適應性,而在能量平衡或者穩定性方面應該比輔助繞組方式更好一些。
木木很-shy
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  • 2017-8-23 22:56:41
 
提示: 該帖被管理員或版主屏蔽
nc965
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  • 2017-8-26 16:02:32
 
李版主您好,看您帖子受益良多,有個問題沒看明白向您請教,RC器件承受電壓值如何看出來的,不是很明白,望您給講講。
人家提問,為什么給投訴了?
RC器件承受電壓值如何看出來的?
1、RC器件承受電壓與二極管反壓相對應
2、反壓的意思是反的,如果二極管正極為0V(參照點),則二極管負極為正電壓
3、115樓右圖,RC器件是并在二極管上的,RC器件承受電壓=二極管反壓Vr
4、115樓左圖,RC器件的左邊還是二極管正極(參照點沒變),右邊呢?
5、RC器件的右邊接V-端子,V-V+端子是不是要低一個Vout? 因此RC器件的電壓應力是不是應該=Vr-Vout?
木木很-shy
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LV8
副總工程師
  • 2017-8-26 19:27:36
 
謝謝您的回復,明白了,條理清晰。
nc965
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  • 2015-8-8 08:40:01
 
      措施4、尖峰鉗位
        TVS 鉗位
         
        
        同樣,右圖的鉗位電壓減少一個Vout,但必須用雙向TVS 器件 。
        TVS 鉗位只適合小功率,這是因為其散熱成本較高。左圖的 TVS 器件還可能流過拓撲電流。
        TVS 鉗位的另一個問題是鉗位電壓不能精確控制。這是因為:一方面 TVS 器件的雪崩曲線很不陡峭,很多時候我們甚至不能觀察到明顯的削峰,另一方面,TVS 器件的鉗位電壓 Vbr 是離散分布的,無法連續調整。

        

        RCD 鉗位
        
       與 RC 吸收顯著不同,RCD 鉗位的電容 C 不是全充全放工況,而是工作在鉗位電平(即反壓Vr)附近的(接近一個高壓濾波電容的工況),在每個反壓尖峰來臨時,由D2為其充電,尖峰即被鉗位;之后由電阻 R 適當放電,電容電壓略微降低,直到下一個尖峰來臨。因此:
        電容 C 有耐壓要求,其中右圖減少一個Vout。超過某個極小值以后,電路對 C 的容量不敏感,一般用 103~105 都是可以的(用電解的時候注意圖中的極性標注)。
        電路對電阻 R 的值敏感,低于某個極限值會使拓撲短路,適當的 R 取值可望把反壓尖峰精確地控制在期望的水平。
本帖最后由 nc965 于 2015-11-11 11:17 編輯

xd285070
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副總工程師
  • 2015-8-10 13:37:25
 
rcd吸收用在ccm時,那個二極管也有反向恢復的問題,不如rc來得直接
nc965
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  • 2015-8-10 13:40:35
 
這里可不是RCD 吸收,而是RCD 鉗位,天壤之別。
xd285070
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副總工程師
  • 2015-8-10 19:15:26
 
我記得以前有個24v 7a的反擊,試過這個所謂的rcd效果,不怎么理想。


今天下班前,隨手拿了2個板子試了下,一個是5v 5a,一個是5v 6a,輸入電壓135v ccm模式。


所謂無圖無真相
上圖,有點大,有點多,忘諒解
5a,rc吸收




rc打開




5a,rcd(her207+103+6k)



5a,rcd打開



6a,rc



6a,rc打開



6a,rcd(her207+103+6k)



6a,rcd打開



再試試了把rcd中的二極管換成肖特基
6a,rcd(sr2100+103+6k)



打開


xd285070
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副總工程師
  • 2015-8-10 19:18:14
 
忘了說紅色為電源整流二極管2端波形,黃色為rcd電容波形。
明天試試在300w正激續流二極管上面的效果,有必要的話也把圖搞上來
nc965
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  • 2015-8-10 19:20:33
 
你把C用400V10uF,R=47K 試試
xd285070
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副總工程師
  • 2015-8-11 14:04:20
 
今天試了正激,輸入為220v,輸出24v 10a
波形測試為續流二極管,紅色為二極管波形,黃色為電解2端波形


接法示意圖





兇案現場





板子上原本的rc吸收,原來是多少的r和c,我也不知道,測試rcd的時候,斷開r



rc打開



改為rcd吸收,HER07+103+47K



103打開



把電容加大,弄了個400v 4.7uf



電容加大打開

隨便測了下dcm時的情況,電容4.7uf


dcm打開
nc965
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  • 2015-8-11 14:06:53
 
      最后兩圖就很好地實現了鉗位,微調電阻值可以精確控制反壓尖峰了,鉗位點一定要高于反壓,否則拓撲就短路了。 本帖最后由 nc965 于 2015-11-11 11:21 編輯

YTDFWANGWEI
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  • 2017-6-28 13:13:08
 
最后兩張圖跟鉗位沒有任何關系,去掉RCD估計波形也是這樣。
xd285070
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副總工程師
  • 2017-6-28 13:38:40
 
李版這個使用DCM模式的情況下,效果還是非常好的,但是CCM狀態下,確實不行,這個只有減低初級電流斜率才是辦法
YTDFWANGWEI
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  • 2017-6-28 13:41:45
 
不是DCM模式下效果好,而是你在DCM模式下,夾縫本來就沒有,你不信同樣的測試條件,你去掉RCD跟帶著RCD波形是一樣的。
你所謂的DCM模式下效果好是因為你改變了測試條件。
xd285070
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副總工程師
  • 2017-6-28 14:12:52
 
去掉吸收這個尖峰是有的,只是這個時候的尖峰比較“軟”,用rc就可以大幅減低,用rcd以后,就是圖上的波形了,所以我才說這個dcm效果好
nc965
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  • 2017-6-28 15:12:14
 
按效果(尖峰高低)好壞排序:
1、效果最好的是RCD鉗位(RCD按鉗位工況配置)
2、RC吸收次之(按R同樣發熱類比)
3、取消RCD是有更高尖峰的
4、RCD按吸收工況(C全充全放)配置。

xd285070
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副總工程師
  • 2015-8-11 14:07:23
 
更具昨天在反擊,今天在正激的應用來說,dcm時,有效果,但是ccm就不行了,可能是我隨意配置的不行吧,我感覺ccm模式時,那就是天煞孤星,那就是命。
nc965
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  • 2015-8-11 20:33:23
 
你的示意圖的接法還不是最優的,電阻右接輸出負更好一點。
xd285070
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副總工程師
  • 2015-8-11 22:26:01
 
對尖峰沒有啥影響
nc965
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  • 2015-8-11 23:10:03
 
電阻損耗小一點
xd285070
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副總工程師
  • 2016-1-18 19:29:37
 
這2天發現一個大絕招,已經實體驗證!


nc965
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  • 2016-1-18 20:11:50
 
這個有SEPIC成分,要軟一點,但是安規應該不滿足了,Y電容上電流很大。
xd285070
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副總工程師
  • 2016-1-18 21:12:39
 
非標專用
nc965
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  • 2016-1-18 21:15:26
 
只能當非隔離用。而且可以短路Y1.
xd285070
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副總工程師
  • 2016-1-18 21:36:12
 
隔離的也行吧?實際驗證用的一個60v輸出600ma的樣機,用了2個102的y,效果峰值電流也就2a左右,這結構用在輸出電壓較高的電動車上面應該很爽
nc965
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  • 2016-1-18 21:47:15
 
電動車?與地什么關系?謹防觸電!
xd285070
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副總工程師
  • 2016-1-18 22:33:46
 
電動車那個充電器,80%都是大號的反激,輸出200w左右,輸出電壓比較高,二極管也只能用慢一點的,尖峰比較高,這個可以有效抑制,,,
至于漏電,這個不好說,主要是不知道怎么說,我就通過實驗的方法吧,明天我把我給接地了,我和電源的次級串個萬用表,交流檔,看加了那個y和沒有加,電壓變化多少v
nc965
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  • 2016-1-19 09:13:44
 
電池接地就是個死,小心炸管。
即使不接地,靠輪胎懸空,電動車也是帶電的,小心觸電,而且還不是市電,是射頻高壓。
即使沒炸管,也不怕觸電,只要帶載,工況也會發生巨大變化,至少在某種工況,你所期望的效應也許就不存在了,反壓也會飆上去。
xd285070
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LV8
副總工程師
  • 2016-1-19 21:39:51
 
就是直接把102并mos上面,也死不了吧?次級接地怎么個死法?不解今天測試了哈,我和電源次級串個萬用表,加和不加那個y電容,電壓變化不大,手摸次級也不會說有麻麻的感覺,不過加了這電容,干擾大是真的,不過抑制尖峰效果確實比較明顯
tongyuanju2005
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LV3
助理工程師
  • 2016-7-1 21:50:46
 
副邊二極管尖峰如果加大漏感會不會變小呢,漏感能量再通過輔助繞組回饋到輸入。大師覺得如何?
nc965
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  • 2017-7-29 11:29:57
 
CCM模式鉗位
一直有認為鉗位不適合CCM模式,其實是適合的,并且同樣有很好的效果,可能僅用很小的效率損失代價換來精確可靠的反壓尖峰抑制效果。
一個CCM模式推挽300W副邊全波整流二極管RCD鉗位案例:

理論反壓為2Vin=144V,無吸收鉗位措施時,反壓尖峰逾400V:


吸收鉗位目標,反壓尖峰200V以內,以便使用200V肖特基。
RC吸收,尖峰吸收到182.3V,吸收損耗15.5W:


RCD鉗位基本方法如圖。

削峰過程明顯,尖峰鉗位到182.7V,鉗位損耗3.4W(僅為RC吸收的22%)。
鉗位電路的主要特性是RC時間常數較大,C的端電壓即為鉗位電壓。

CCM模式鉗位優化
CCM模式還可以進一步優化:

同等情況下(182.4V),此電路損耗降到3W。
原理:C上電壓為鉗位電壓Vq,R根據尖峰能量續流維持這個電壓,相當于恒流工況。上圖R與C并聯即對鉗位電壓Vq的續流,下圖利用了輸出電壓(24V),鉗位電壓仍然是Vq,但續流電壓為Vq-Vout,故損耗降低。

受此啟發,如果有其他電壓源(比如風扇電源、繼電器電源)可以在副邊接地,還可以進一步降低鉗位損耗:

這次鉗位電壓仍然是182.7V,但R續流電壓又降低了24V,鉗位損耗降到了2.5W。
xuanyifeng
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高級工程師
  • 2015-8-8 15:54:38
 
前輩,多謝啦,不知道你在這行多久了,什么時候能達到這種境界啊
nc965
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  • 2015-8-10 09:53:45
 
功力源自于此:其中就包含一個開關電源
懷一下舊:秀當年的作品
xuanyifeng
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高級工程師
  • 2015-8-10 18:33:41
 
書本相當重要呀,本科沒學到什么東西,倒是學出一顆浮躁的心,現在連書都很難靜下心來看完,向師兄師姐請教,他們都說直接看文獻,基礎懂一點就行,但是還是覺得懂一點真心不夠,看文獻也看不懂,歸根結底還是花時間太少吧
xuanyifeng
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高級工程師
  • 2015-8-10 18:37:47
 
前輩,你對電源行業感興趣嗎?讓你專心于此行業的動力和信念是什么?如果缺乏興趣,是不是就很難有較高的造詣?有點迷茫
nc965
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  • 2015-8-10 18:45:08
 
別說了,慚愧啊
xuanyifeng
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高級工程師
  • 2015-8-10 20:13:18
 
相信你很棒的,我也得加油了,真outL了
wcm014
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高級工程師
  • 2015-8-15 11:48:30
 
如果不是富二代,官二代什么的,,,那么生活壓力,,絕對是你的動力
micropower
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nc965
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daichuanping
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本網技師
  • 2015-8-14 23:46:56
 
謝謝樓主,學習了!
nc965
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  • 2015-8-18 12:24:26
 
這個貼還需要補充點啥不?說清楚沒?大家的問題解決了沒?可以結貼了不?
何仙公
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  • 2015-8-19 09:33:08
 
目測,你意猶未盡!
nc965
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  • 2015-8-19 09:40:41
 
目測,你想說點啥
micropower
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  • 2015-8-19 16:03:53
 
大師!開關管關閉那個振蕩什么肖除呀?
nc965
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  • 2015-8-19 16:08:28
 
目測,明知故問
micropower
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  • 2015-8-19 16:14:14
 
我看到是處理開通時的那段,關閉也有呀,沒看到寫是什么處理的
nc965
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  • 2015-8-19 17:20:01
 
本帖專攻副邊二極管尖峰。
飄飄飄
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副總工程師
  • 2016-1-11 11:43:58
 
老大:先別結貼呀,我這個怎么解決從哪方面著手呢?這個是移相全橋全波整流二極管的波形要怎么辦?我這個是輸出沒有濾波電感和電容的。
本帖最后由 飄飄飄 于 2016-1-11 11:45 編輯

1418747585-43867-600.jpg (57.3 KB, 下載次數: 42)

移相全橋全波整流二極管波形

移相全橋全波整流二極管波形
nc965
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  • 2016-1-17 21:22:04
 
移相全橋?感覺還沒有軟,先軟起來再說。
司馬仲達
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總工程師
  • 2016-1-21 16:44:52
 
初級有沒有加二極管鉗位,沒有就加上試試
ll91588
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高級工程師
  • 2015-8-20 10:49:35
 
頂起
nc965
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  • 2015-8-31 12:01:48
 
措施5、把尖峰能量回收
司馬仲達
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總工程師
  • 2015-9-5 13:35:13
 
原來此貼還在更新中哈,不錯,正好想弄明白尖峰和哪些因素有關呢。我的CCM全橋吸收也是一件很痛苦的事。在差不多漏感,相同Rg,相同功率不同輸出的情況下,SIC不比普通快恢復省心呢。感覺如果只按照L*DV/DT來分析CCM的尖峰的大小可能是不準的。也嘗試過串聯N個磁阻想來吸收尖峰的,然后依然大敗而歸哈哈
nc965
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  • 2015-9-6 05:59:12
 
R C 吸收肯定奏效的。

taorong
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本網技師
  • 2015-9-7 17:28:46
 
頂!            
zhangtao3b608
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高級工程師
  • 2015-9-16 16:54:19
 
關注,學習中。
niexiaozhi
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高級工程師
  • 2015-10-12 15:49:11
 
給樓主一個贊,
cjhk
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  • 2015-10-13 11:58:35
 
很給力  次級消除應力的方法我終于找到了   謝謝
wandubin
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高級工程師
  • 2015-12-7 23:23:48
 
這兩天調試的機子也是次級反壓超了。在這里學習學習,明天實踐。
小勝
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高級工程師
  • 2015-12-8 09:25:03
 
40V輸出(甚至50V輸出都)希望用200V的二極管搞定,你的尖峰有這么大嗎,這都5倍了?
nc965
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  • 2015-12-8 10:08:15
 
反激就是這樣
yikifreda
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禁止發言
  • 2015-12-8 10:11:43
 
學習學習!
whereismycat
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  • 2016-1-10 17:56:03
 
增大驅動電阻確實是比較有效的一招,很多有經驗的工程師都知道這個方法,且秘而不宣,感謝樓主分享。按我的理解,增大驅動電阻其實是增大MOSFET在開通時候的 RDS_ON,就是開通瞬間MOSFET的內阻會大很多(相當于不飽和導通),但因為開通的時候MOSFET電壓和電流都比較小,對開關損耗影響不大。  增大的這個RDS_ON最終會反射到次級的吸收回路,相當于在吸收回路引入了一個阻尼,因此可以大大降低尖峰。
nc965
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  • 2016-1-22 10:03:04
 
這個效應的本質,就是112樓那位兄弟認為是錯誤的那些原因。
二極管反壓尖峰,本質上是副邊漏感的一種釋能方式,現在通過減慢導通,讓原邊MOS開通損耗增加一點,米勒一點,以這樣的方式,使付邊的漏感能量轉移到原邊來,使付邊看上去就是完全沒有尖峰和漏感釋能損耗的理想波形??倱p耗不一定會降低,效率還有可能更高,且發熱轉移到有散熱措施的原邊消耗,大幅度降低了di/dt,改善了EMC,是件一舉幾得到好事。
wangdongchun
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總工程師
  • 2016-2-8 12:08:28
 
好東西啊,果然是蓋世武功
Deshine
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副總工程師
  • 2016-3-9 18:20:51
 
mht820413
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高級工程師
  • 2016-3-15 17:36:34
 
太負載了,如果吸收,VCC,快管,次級肖特基,你把變壓器漏感,還有次級布線的漏感搞小,放個RC測試使用率不超0.9,除非EMI要調試,否則你設計是OK的
xd285070
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副總工程師
  • 2016-3-15 18:12:38
 
初級漏感大,次級尖峰小
cuncaosheng
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高級工程師
  • 2016-4-1 16:30:14
 
李工將的很好,有一點持懷疑哦 ,你說MOS的驅動電阻搞幾百O 這個 EMC效果是很好的 但是整機效率 呵呵
nc965
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  • 2016-4-1 17:03:07
 
當然以整機效率不下降為度。
Power小E
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高級工程師
  • 2016-8-5 16:59:38
 
先頂一個, 學到很多
chengyue
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禁止發言
  • 2016-6-24 16:27:17
 
提示: 該帖被管理員或版主屏蔽
aa526747
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本網技師
  • 2017-1-15 14:16:29
 
頂起
LinTX
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高級工程師
  • 2017-2-5 08:44:13
 
學習了
LinTX
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高級工程師
  • 2017-2-5 08:45:20
 
xuexile
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高級工程師
  • 2017-5-19 13:46:16
 
李版講的不錯,路過學習了!
wulana
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副總工程師
  • 2017-8-30 11:10:29
 
再回看一遍,好貼得頂!
power2828
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高級工程師
  • 2017-10-4 10:43:57
 
每次看貼都有意想不到的收獲……
我讓我朋友
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助理工程師
  • 2017-11-1 07:48:06
 
太經典了,剛好最近做反激電源,樓主辛苦了。
皖南stone
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初級工程師
  • 2018-7-9 20:32:10
 
112     219   
沒有用戶名
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高級工程師
  • 2018-7-24 10:30:48
 
mark一下
浪跡天涯1885
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初級工程師
  • 2018-9-17 21:40:14
 
頂起??!
沒有用戶名
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高級工程師
  • 2018-9-29 10:56:05
 
好帖得多看
風雨風情
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高級工程師
  • 2018-11-1 18:21:49
 
頂,想學習一下
heyufeng318
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助理工程師
  • 2018-11-17 10:16:00
 
樓主 , 你這兩貼我看了好幾次了 但是還是沒弄明白具體是怎么設定的
nc965
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  • 2018-11-17 15:24:00
 
調試出來的,只需調整一個元件,直到尖峰可以接受為止,感覺已經很簡單了。
wyxdy2014
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高級工程師
  • 2018-11-17 20:29:29
 
李版,能發那個OB3330的文檔參考下不?謝謝!今晚剛好看完了這個貼!受益不少!
wyxdy2014
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高級工程師
  • 2018-11-17 20:30:39
 
這是我q2065746683@qq.com謝謝!
nc965
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  • 2018-11-17 21:16:17
 
自己隨手記的調試筆記,算不上啥文檔,而且也沒有寫完整,已經發你QQ信箱了
wyxdy2014
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高級工程師
  • 2018-11-18 10:55:15
 
好的,已收到,謝謝李版!
kelvincriss
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本網技師
  • 2019-4-15 16:55:39
 
來聽大牛高見
Ken_123
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初級工程師
  • 2019-5-10 13:57:58
 
謝謝分享~~~
菜鳥001
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高級工程師
  • 2019-6-19 21:43:11
  • 倒數9
 
我就用了RC和rcd的復合抑制的方法,這樣原邊的IGBT就不會炸管子啦

[M$INSQMC6OZBVPBEQW(K~X.png (8.69 KB, 下載次數: 5)

[M$INSQMC6OZBVPBEQW(K~X.png

W~]14$DO_%9N3PR[W3N7URL.png (3.68 KB, 下載次數: 2)

W~]14$DO_%9N3PR[W3N7URL.png
tinachen
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本網技師
  • 2019-9-9 10:26:17
  • 倒數6
 
好東西啊
xutong
  • xutong
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高級工程師
  • 2019-9-24 19:39:36
  • 倒數4
 
高手很多啊,學習了
新鋪居士
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副總工程師
  • 2019-10-29 11:14:16
  • 倒數2
 
并RC電路
yyyl
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初級工程師
最新回復
  • 2019-11-27 23:55:32
  • 倒數1
 
這個方式對全橋逆變 全波整流有用不?
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世紀電源網總部

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